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　纳米尺度下硫系化合物相变存储材料相变机理、导电机制及其原型存储器的构筑
  • 项目名称：　纳米尺度下硫系化合物相变存储材料相变机理、导电机制及其原型存储器的构筑
  • 批准号：20090091110010
  • 项目来源：高等学校博士学科点专项科研基金博导类课题
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：徐岭
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：0
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
硫系相变材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜相变速度及电学输运性质研究
相变存储材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜的结构和电学特性研究
徐岭的项目
核壳结构硫系半导体纳米量子点掺杂与光电性能调控
期刊论文 1
氧化物半导体量子点稀土共掺杂硅基发光材料及其共振能量转移过程研究
期刊论文 22 会议论文 6 专利 4
可调电子和光子带隙的半导体量子点光子晶体
期刊论文 2
在光场受限下强荧光半导体量子点光激射的研究
期刊论文 20 专利 2
纳米尺度下硫系化合物相变材料非晶态、晶态相变机理和导电机制的研究
期刊论文 18 会议论文 2 专利 2