中文摘要：

采用射频磁控溅射方法制备NiMnInCo磁性形状记忆合金薄膜，研究薄膜生长规律和晶化行为及其影响因素，揭示薄膜生长动力学及晶化动力学机制；研究外磁场作用下马氏体相变行为，揭示磁场驱动马氏体相变的微观机制；研究薄膜马氏体-母相界面结构，建立界面结构模型；研究合金成分、制备工艺、晶化处理以及膜厚等对磁感生应变的影响规律，考察磁场作用下马氏体-母相界面的运动特点和规律，阐明磁驱动马氏体相变与磁感生应变之间的内在联系；确定获得大应变、高输出力薄膜的成分设计与制备工艺，制备高质量NiMnInCo磁性形状记忆合金薄膜，为发展兼具高响应频率、大应变、高输出力和输出功的新型微机电系统用磁性形状记忆合金薄膜奠定基础。

结论摘要：

按计划完成了全部研究内容。采用射频磁控溅射方法制备了NiMnInCo磁性形状记忆合金薄膜，研究了薄膜生长规律和晶化行为及其影响因素，揭示了薄膜生长动力学及晶化动力学机制；研究了外磁场作用下马氏体相变行为，揭示了磁场驱动马氏体相变的微观机制；研究了薄膜马氏体-母相界面结构，建立了界面结构模型；研究了薄膜的基本磁性质及其微观机理；研究了磁感生应变及其影响因素，阐明了磁驱动马氏体相变与磁感生应变之间的内在联系，揭示了磁感生应变的微观机制；确定了获得大应变、高输出力薄膜的成分设计与制备工艺，制备了高质量NiMnInCo磁性形状记忆合金薄膜，为发展兼具高响应频率、大应变、高输出力和输出功的新型微机电系统用磁性形状记忆合金薄膜奠定基础。 项目共发表SCI论文8篇；影响因子总和为17.48，其中影响因子大于2.0的文章6篇。