中文摘要：

采用射频磁控溅射方法制备Ni-Mn-Ga磁驱动形状记忆合金薄膜，研究薄膜生长规律和晶化行为及其影响因素，揭示薄膜生长动力学及晶化动力学机制，建立薄膜生长物理模型；研究磁场、应力场和温度场及复合场作用下的马氏体相变行为，结合马氏体相变热力学和晶体学分析，揭示磁场诱发马氏体相变的微观机制；研究薄膜中马氏体的组织结构、亚结构及变体间界面结构，建立界面结构模型；研究薄膜磁感生应变测试技术，考察合金成分、制备工艺、晶化处理以及膜厚等对磁感生应变的影响规律；研究外场作用下马氏体内孪晶界面、马氏体－母相界面的运动特点和规律，阐明界面结构及其可动性、磁诱发马氏体相变与磁感生应变之间的内在联系，揭示薄膜磁感生应变微观机制，建立相应物理模型；确定获得大磁感生应变薄膜的成分设计、制备工艺与晶化处理优化准则，制备高质量Ni-Mn-Ga磁驱动形状记忆合金薄膜，为发展新型磁驱动形状记忆薄膜奠定理论基础。

结论摘要：

采用射频磁控溅射方法制备了高质量Ni-Mn-Ga系磁驱动形状记忆合金薄膜，研究了薄膜生长规律和晶化行为及其影响因素，揭示了薄膜生长动力学及晶化动力学机制，建立了薄膜生长物理模型；研究了Ni-Mn-Ga合金薄膜的马氏体相变行为及晶体学结构特征，揭示了薄膜成分对相变温度和晶体结构的影响规律；研究了薄膜中的马氏体组织结构、亚结构及变体间界面结构，建立了界面结构模型；研究了薄膜成分、制备工艺、晶化处理以及膜厚等对磁感生应变的影响规律，阐明了界面结构及其可动性与磁感生应变之间的内在联系，揭示了薄膜磁感生应变微观机制，确定了获得大磁感生应变薄膜的成分设计、制备工艺与晶化处理优化准则，为展新型磁驱动形状记忆薄膜奠定了理论基础。