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III族氮化物半导体异质结构功率电子器件的体陷阱与界面陷阱研究
  • 项目名称：III族氮化物半导体异质结构功率电子器件的体陷阱与界面陷阱研究
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：61361166007
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：沈波
  • 依托单位：北京大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
Epitaxial evolution on buried cracks in a strain-controlled AIN/GaN superlattice interlayer between AIGaN/GaN multiple quantum wells and a GaN template
Localized deep levels in AlxGa1-xN epitaxial films with various Al compositions
沈波的项目
Si衬底上氮化物半导体异质结构材料和功率电子器件相关物理问题研究
期刊论文 1
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的量子输运性质
期刊论文 48
III族氮化物半导体异质结构中的自旋轨道耦合效应及其调控
期刊论文 29 会议论文 9
半导体异质结构（包括ＳＯＩ、ＳＯＳ材料）
期刊论文 65 会议论文 8 获奖 2
半导体低维量子结构与器件
期刊论文 3
高Al组份AlxGa1-xN 宽禁带半导体薄膜的MOCVD外延生长和掺杂研究
期刊论文 5
　全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用
期刊论文 3