中文摘要：

半导体器件制造过程中，钝化技术能有效减少表面态和界面态，是改善器件性能的关键技术之一。SiC器件在高频，高温，大功率等领域有非常重要的应用，因此针对此类器件的钝化技术研究对于提高SiC功率器件的性能意义重大。本申请项目基于Valence-Mending概念，提出对Si/SiC异质结功率器件表面以及界面进行硫钝化，最终达到改善器件光学和电学特性的目的。项目以现有半导体S钝化技术为基础，针对Si/SiC异质结功率器件研究S钝化技术的最佳工艺参数，包括溶液浓度，温度和钝化时间；H2S气体流量，衬底温度和钝化时间。研究S钝化后的热稳定性问题。通过对钝化前后界面态和表面态密度的分析，研究S钝化对界面态和表面态密度的影响。探索S钝化对器件电学和光学特性的影响。研究还包括通过第一性原理计算分析S钝化SiC表面和界面的机理，从理论上解释SiC的Si面和C面钝化稳定性问题，计算钝化对表面态和禁带结构的影响。