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6H-SiC硅面S钝化工艺研究
  • ISSN号:1000-985X
  • 期刊名称:人工晶体学报
  • 时间:2015.11.1
  • 页码:3000-3004
  • 分类:TB306[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:西安理工大学电子工程系
  • 相关基金:国家自然科学基金(51207128,51177134);陕西省教育厅基金(2013JK1102)
  • 相关项目:基于Si/SiC异质结的非紫外光控SiC大功率电力电子器件可行性研究
中文摘要:

采用(NH4)2S溶液钝化SiC的Si面,借助反向I-V特性间接表征钝化效果,得到了SiC表面最佳的钝化参数:钝化温度60℃、钝化时间30 min、NH3·H2O浓度为2.4 mol/L、(NH4)2S浓度为0.22 mol/L。XPS测试结果表明钝化后的6H-Si C表面形成了Si-S键,反向饱和I-V特性表明S钝化降低了表面的态密度。实验结果与第一性原理计算结果相吻合。

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期刊信息
  • 《人工晶体学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国建材工业协会
  • 主办单位:中国硅酸盐学会 晶体生长与材料专业委员会 中材人工晶体研究院
  • 主编:余明清
  • 地址:北京市733信箱
  • 邮编:100018
  • 邮箱:
  • 电话:010-65492963 65492968 65493320
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-985X
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2637/O7
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1997年获国家科技优秀期刊,获部级优秀科技期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:9943