中文摘要：

本项目针对双量子点与近藤效应相关的输运问题开展研究, 研究在近藤温度区域中双量子点的输运性质。研究双量子点其中一个局域"自旋"屏蔽而另一个局域"自旋"完全不屏蔽的条件, 以及在这种情况下, 巡游电子的输运性质。找到在高"自旋"单量子点的输运问题中, 局域"自旋"部分屏蔽的物理根源, 看其是否是两个低"自旋"双量子点的组合。研究近藤效应与RKKY相互作用竞争的物理现象, 以及这种竞争对电子输运性质的影响,为实验上实现这种局域"自旋"部分屏蔽的输运现象提供理论根据。研究极化传导电子通过双量子点的输运性质, 研究传导电子的极化性质与双量子点的近藤温度以及RKKY相互作用之间的关系, 研究极化的传导电子是否也会使局域"自旋"屏蔽等物理效应。研究双量子点在外磁场下与近藤效应相关的输运性质。研究外磁场、双量子点的近藤温度与RKKY相互作用之间的竞争关系。