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　新结构器件物理与模型、模拟研究
  • 项目名称：　新结构器件物理与模型、模拟研究
  • 批准号：2010CB327504
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：陆海;王燕;陈敦军;赵红;李树国
  • 依托单位：清华大学;南京大学
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 8
  • 0
  • 0
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期刊论文
GaN nanopillars with a nickel nano-island mask
用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究
Reverse leakage current in AIGaN-based ultraviolet light-emitting diodes
GaN hexagonal pyramids formed by a photo-assisted chemical etching method
Solar-blind ultraviolet band-pass filter based on metal-dielectric multilayer structures
Enhancement in solar hydrogen generation efficiency using InGaN photoelectrode after surface roughening treatment with nano-sized Ni mask
Breakdown characteristics of AIGaN/GaN Schottky barrier diodes fabricated on a silicon substrate
一种考虑自热效应的AlGaN/GaN HEMT大信号模型
陆海;王燕;陈敦军;赵红;李树国的项目