本项目拟使用双层缓冲层的技术,在石墨烯的表面沉积上一层苯的单分子层(苯分子没有极性,且可以与石墨烯进行pi-pi成键),然后以金属钇作为介质缓冲层,氧化钇或者氧化铝作为栅介质绝缘层,研制出获得高速射频晶体管,倍频器和混频器,滤波选频器。申请人率先研制出工作截止频率300 GHz的自对准顶栅石墨烯晶体管,是迄今为止最快的石墨烯射频晶体管,系统讨论了石墨烯射频晶体管的极限速度,在前面工作的基础上研制出高速石墨烯混频器和倍频器。作为第一作者/联系作者在《Nature》、《PNAS》、《Nano Lett.》,《Adv. Mater.》等杂志上发表SCI论文20余篇,单篇引用128次。与他人合作在《Nature Nanotechnology》、《Nature Communication》等杂志发表SCI论文30余篇。所有论文被他引用1300多次,H因子23,做邀请报告两次。
英文主题词MoS2;thin film transistor;semiconductor devices;metal oxide;