中文摘要：

传统光和磁的二进制存储受其自身物理因素限制已远不能满足现代社会信息量爆炸式增长需求，寻求新的超高密度信息存储技术刻不容缓。多进制信息存储材料的存储密度在相同面积内比二进制呈亿倍增长, 能实现用更少存储单元获得惊人的存储能力.申请人将于苏州大学路教授课题组合作进行设计合成系列大π共轭结构的有机分子，研究其电传导机理, 建立具有三进制信息存储功能的分子结构设计、合成理论依据, 最终以获得的分子设计依据和器件制备工艺参数为指导达到调控实现四进制、乃至六进制信息存储材料和器件的目的，解决传统存储技术已达其极限存储容量的问题. 本课题将利用电化学和各种光学方法，特别是瞬态光谱及成像技术，研究有机电存储材料分子结构与能级关系，分子在薄膜中堆积构象，电子陷阱, 界面过程来理解这些电存储材料的电传导机理及工作原理。这些工作将机理上对发展各种新型电存储材料起到有效的指导和推动作用。