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基于InAs/GaSb超晶格的新型中波红外雪崩光电二极管
项目名称:基于InAs/GaSb超晶格的新型中波红外雪崩光电二极管
项目类别:面上项目
批准号:61274013
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:徐应强
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年度:2012
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响
High power laser diodes of 2μm AlGaAsSb/InGaSb type I quantum-wells
GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面
高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSbⅠ型量子阱室温工作激光器(英文)
High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AIGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
徐应强的项目
1.7-2.5μm GaInNAs(Sb)/GaAs近红外材料生长及其器件应用
期刊论文 16
会议论文 2