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硅晶体中金属杂质性质的研究
  • 项目名称：硅晶体中金属杂质性质的研究
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：51111120094
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：杨德仁
  • 依托单位：浙江大学
  • 批准年度：2011
杨德仁的项目
欧洲材料研究会2001年春季会议
第198 届国际电化学会议
第七届高纯硅国际会议
硅晶体中3d金属沉淀和稳定性
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期刊论文 4
硅纳米晶体的掺杂研究
重掺杂对直拉硅中原生以及热处理诱生缺陷的影响
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期刊论文 15 会议论文 3 著作 2
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期刊论文 9 会议论文 5 著作 1
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期刊论文 1
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期刊论文 2
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期刊论文 2
半导体材料
期刊论文 170 著作 6
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期刊论文 78 会议论文 10 专利 8
掺锗直拉硅单晶的辐照缺陷
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第10届半导体中缺陷国际会议(2004)