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206届电化学学会会议/2004（第八届高纯硅国际会议）
  • 项目名称：206届电化学学会会议/2004（第八届高纯硅国际会议）
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：50510205116
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：杨德仁
  • 依托单位：浙江大学
  • 批准年度：2005
杨德仁的项目
重掺磷直拉硅单晶的微缺陷研究
期刊论文 7 会议论文 2 专利 1
超大规模集成电路（ULSI）用硅材料中杂质和缺陷的基础研究
期刊论文 2
高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
期刊论文 2
半导体材料
期刊论文 170 著作 6
大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
期刊论文 78 会议论文 10 专利 8
掺锗直拉硅单晶的辐照缺陷
硅晶体中金属杂质性质的研究
第九届国际硅材料科学和技术国际会议
第10届半导体中缺陷国际会议(2004)
微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究
期刊论文 15 会议论文 3 著作 2
快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究
期刊论文 9 会议论文 5 著作 1
掺锗直拉硅单晶的辐照缺陷
硅纳米晶体的掺杂研究
铸造多晶硅中氧的特性和对光电效率的影响
期刊论文 1
铸造晶体硅的杂质与缺陷
期刊论文 1
第九届半导体中吸杂和缺陷工程
　硅芯片光互连用发光材料及器件研究
期刊论文 1
21届半导体中的缺陷国际会议
氢对微氮硅单晶中氮关缺陷和过渡金属的作用
　信息功能材料
期刊论文 11
欧洲材料研究会2001年春季会议
第198 届国际电化学会议
第七届高纯硅国际会议
硅晶体中3d金属沉淀和稳定性
重掺杂对直拉硅中原生以及热处理诱生缺陷的影响
期刊论文 4
硅纳米晶体的掺杂研究
重掺杂对直拉硅中原生以及热处理诱生缺陷的影响