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AlGaN基量子结构材料及其大功率深紫外光源
  • 项目名称：AlGaN基量子结构材料及其大功率深紫外光源
  • 项目类别：联合基金项目
  • 批准号：U1405253
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：康俊勇
  • 依托单位：厦门大学
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨
康俊勇的项目
异质半导体纳米线阵列的结构与性质
期刊论文 134 会议论文 76
宽禁带半导体中光子与原子强耦合结构
期刊论文 34
Gan 半导体中的残留杂质和本征缺陷
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　深紫外LEDGaN基半导体设计与关键外延技术研究
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强磁场下半导体/磁性材料异质结构外延及原位自旋相关输运检测系统
期刊论文 7
III族氮化物异质界面的缺陷
GaN半导体中的残留杂质和本征缺陷
期刊论文 2
GaN半导体中的残留杂质和本征缺陷
全同量子点晶格构筑及其量子态间耦合表征
期刊论文 19
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期刊论文 29 获奖 2