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　深紫外LEDGaN基半导体设计与关键外延技术研究
  • 项目名称：　深紫外LEDGaN基半导体设计与关键外延技术研究
  • 批准号：2006AA03A110
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：康俊勇
  • 依托单位：厦门大学
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 6
  • 0
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期刊论文
半导体光电结构材料及其应用
GaN半导体中InN量子点的结构性质
AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究
GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究
具有缺陷态的二维光子晶体通讯波长滤波器的结构优化设计
康俊勇的项目
GaN半导体中的残留杂质和本征缺陷
期刊论文 2
GaN半导体中的残留杂质和本征缺陷
Gan 半导体中的残留杂质和本征缺陷
GaN半导体中的残留杂质和本征缺陷
III族氮化物异质界面的缺陷
期刊论文 39 会议论文 8
表面原子过程和表面小系统量子效应问题
全同量子点晶格构筑及其量子态间耦合表征
期刊论文 6
强磁场下半导体/磁性材料异质结构外延及原位自旋相关输运检测系统
期刊论文 7
III族氮化物异质界面的缺陷
AlGaN基量子结构材料及其大功率深紫外光源
期刊论文 1
全同量子点晶格构筑及其量子态间耦合表征
期刊论文 19
原位半导体纳米结构综合测试系统研制
期刊论文 29 获奖 2
异质半导体纳米线阵列的结构与性质
期刊论文 134 会议论文 76
宽禁带半导体中光子与原子强耦合结构
期刊论文 34