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宽禁带半导体中光子与原子强耦合结构
  • 项目名称：宽禁带半导体中光子与原子强耦合结构
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60776066
  • 申请代码：F0405
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人：康俊勇
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：厦门大学
  • 批准年度：2007
中文摘要：

光子与原子强耦合是单光子发射、光逻辑、量子计算等量子信息处理的核心，实现其全固态结构制备对信息领域将产生重大影响。本项目基于原有工作，采用化学气相沉积方法制备具有高精细度的宽禁带半导体谐振腔。并采用第一性原理模拟计算不同掺杂半导体的晶格结构和电子结构，预测杂质发光效率、波长等性质；通过生长过程掺杂、生长后扩散或离子注入等方法，掺入可发射合适波长光子的杂质缺陷，在腔中形成光发射器。另一方面，采用金属有机物化学气相沉积和分子束外延等方法，在宽禁带半导体中掺入杂质或构建量子结构，制备具备发光性能的外延片；采用有限差分时域方法设计具有谐振性质的不同结构腔，并用刻蚀方法制备。通过不同表征方法，观测谐振腔的结构、光学和电学性质、光子与原子相互作用等，建立新概念、揭示新规律。

中文主题词： 光子与原子；强耦合；宽禁带半导体
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 34
  • 0
  • 0
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  • 0
期刊论文
Enhancement in middle-ultraviolet emission in a surface-plasmon- assisted coaxial nanocavity
Atomic structure and formation mechanism of identically sized Au clusters grown on Si(111)-(7×7) sur
Growth kinetic processes of AlN molecules on the Al-polar surface of AlN
Adsorption/desorption and electrically controlled flipping of ammonia molecules on grapheme
Initial process effects on the surface morphology and structural property of the AlN epilayers
Phase identification from electronic structures by Auger electron spectroscopy
Sensitivity enhancement of longitudinally driven giant magnetoimpedance magnetic sensor using magnet
Optical anisotropy of AlN epilayer on sapphire substrate investigated by variable-angle spectroscopi
Design of type-II MgxZn1-xO:N/ZnO superlattices for UV photodetector applications
Initial stages of Mg adsorption on the Si(111)7X7 surface
不同结构参数氮化镓基发光二极管芯片出光的蒙特卡罗方法模拟
Structural and electronic properties of identical-size Zn nanoclusters grown on Si(111)-(7×7) surfac
Design and epitaxy of structural III-nitrides
Pressure induced wurtzite-to-zinc blende phase transition in ZnO at finite temperature
Non-contact nanoscale electrical measurements for embedded intrinsic charges by Auger electron spect
Near-ultraviolet light emitting diodes using strained ultrathin InN/GaN quantum well grown by metal
Enhancement of p-type conductivity by modifying the internal electric field in Mg- and Si-δ-codoped
Hierarchical lattice structure and formation mechanism of ZnO nano-tetrapods
Quantized level transitions and modification in InGaN/GaN multiple quantum wells
Raman measurements of thermal transport in suspended monolayer graphene of variable sizes in vacuum
Band-edge emission enhancement by longitudinal stress field in GaN
Electronic structures of ZnO(0001)-Zn and (000-1)-O polar surfaces
Growth and characterization of type-II ZnO/ZnSe core/shell nanowire arrays
Density-controlled growth of well-aligned ZnO nanowires using chemical vapor deposition
Kinetic Monte Carlo simulations of Au clusters on Si(111)-7 X 7 surface
Origins and suppressions of parasitic emissions in ultraviolet light-emitting diode structures
Magnetoelastic resonance enhancement of longitudinally driven giant magnetoimpedance effect in FeCuN
Polarization effects on quantum levels in InN/GaN quantum wells
Oxidation resistance of graphene-coated Cu and Cu/Ni alloy
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