ZnO高效p型掺杂、机理及pn结紫外探测器的研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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ZnO高效p型掺杂、机理及pn结紫外探测器的研究

项目名称：ZnO高效p型掺杂、机理及pn结紫外探测器的研究
项目类别：面上项目
批准号：60776013
申请代码：F040107
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2008-01-01-2010-12-31

项目负责人：顾书林
负责人职称：教授
依托单位：南京大学
批准年度：2007

中文摘要：

项目采用MOCVD外延生长技术，采用V族N元素为p型掺杂源, 生长出较高浓度掺N的ZnO薄膜；研究探索p型掺杂剂的高温激活处理技术，掌握较高质量p型ZnO薄膜材料的制备技术与方法；采用变温Hall测量技术与相关分析技术研究其掺杂机理和高温激活机理，研究了蓝宝石衬底中Al的外扩散对ZnO外延薄膜的性质的影响；采用Te/N共掺技术，有效地降低了杂质的补偿提高了掺杂剂的结合效率，使ZnO p型掺杂的稳定性和可靠性得到了改进和提高；采用高温生长技术与各类处理技术，实现较高质量的ZnO的同质与外延生长，初步获得具有台阶表面的光滑生长表面；研究了ZnMgO/ZnO异质结构的界面性质以及对二维电子气的光学性质和电输运特性的影响；采用中间插入层技术研制出具有较高性能和较好整流特性的ZnO基同质pin结紫外探测器件，在紫外波段具有良好的响应。该研究成果对促进ZnO宽禁带半导体的研究和发展有较好的推动作用,而研制发展的ZnO基pn结紫外探测器由于体积小、低工作电压、高响应速度并易于集成而在国防、航天、科研、环保、防火和许多工业控制领域中具有许多较好的应用前景。

中文主题词：氧化锌、p型掺杂、紫外探测、杂质补偿

结论摘要：

英文主题词ZnO;p-type doping;ultraviolet detecting;defect compensation

成果综合统计