位置：立项数据库 > 立项详情页
ZnO基稀磁半导体异质结构的制备与性质研究
  • 项目名称：ZnO基稀磁半导体异质结构的制备与性质研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60576017
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：顾书林
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2005
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 10
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
N掺杂ZnO薄膜的接触特性
Zn1-xMgxO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
O2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究
N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光
ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟
Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性
顾书林的项目
ZnO高效p型掺杂、机理及pn结紫外探测器的研究
期刊论文 36
应用于光电子器件的高质量ZnO外延层薄膜材料的生长与性质研究
宽禁带半导体异质结构的材料生长与物性研究
期刊论文 57 会议论文 2
高质量ZnO微纳米柱同轴异质结构阵列的选择外延生长、p型掺杂及器件应用
期刊论文 2
硅量子线,点MOS结构存储器研究
高居里温度自旋量子结构与器件
期刊论文 96 会议论文 2 专利 4
极化诱导能带工程与激子基量子系统
期刊论文 115 会议论文 10
宽带隙氧化锌基结构材料与器件应用
期刊论文 2 会议论文 1