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新型SiGe异质结双极器件低剂量率辐照损伤机理研究
  • 项目名称：新型SiGe异质结双极器件低剂量率辐照损伤机理研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61574171
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：郭红霞
  • 依托单位：中国科学院新疆理化技术研究所
  • 批准年度：2015
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
不同偏置影响SiGeHBT剂量率效应数值模拟
An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes
郭红霞的项目
SiGe HBT单粒子效应电荷收集机制及其关键影响因素研究
期刊论文 7