位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN325.3[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]School of Energy and PowerEngineering, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China, [2]Northwest Institution of Nuclear Technology, Xi ' an 710024, China, [3]Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of Chinese Academy of Sciences Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China
  • 相关基金：the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61274106 and 61574171）.
作者： 李培[1], 刘默寒[3], 贺朝会[1], 郭红霞[2], 张晋新[1], 马婷[1]
关键词： 电离辐射损伤, SIGE, 数值模拟, HBT, IBM, 影响因素, 器件设计, 工艺制造, different silicon-germanium process, ionizing radiation damage, numerical simulation
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： hechaohui@mail.xjtu.edu.cn

同期刊论文项目
新型SiGe异质结双极器件低剂量率辐照损伤机理研究
期刊论文 2
SiGe HBT单粒子效应电荷收集机制及其关键影响因素研究
期刊论文 7
同项目期刊论文
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究
不同偏置影响SiGeHBT剂量率效应数值模拟
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真
重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟
3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon- germanium heterojunction bipolar transistors
Three-dimensional simulation of fabrication process-dependent effects on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor
不同偏置影响SiGeHBT剂量率效应数值模拟
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406