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低功耗高性能多孔硅基底WO3基薄膜气敏微传感器研究
  • 项目名称:低功耗高性能多孔硅基底WO3基薄膜气敏微传感器研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60771019
  • 申请代码:F010905
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人:胡明
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:天津大学
  • 批准年度:2007
中文摘要:

提出了低功耗高性能多孔硅基底WO3基薄膜气敏传感器的研究。基于多孔硅和纳米WO3各自的优良气敏特性及二者复合结构纳米相界面所具有的二元协同性原理,可得到室温探测高性能气敏传感器。对所涉及的相关理论与关键技术进行研究与探讨。在研究了多孔硅气敏特性及机理的基础上,探索了多孔硅基底表面沉积形成纳米WO3薄膜的生长条件和相关成膜机理,解决了多孔硅基底WO3基薄膜制备工艺中的关键技术,得出了多孔硅基WO3纳米薄膜微观形貌结构、界面特性与其气敏特性的对应规律,建立了多孔硅基底WO3基纳米薄膜气敏机制模型,设计出多孔硅基WO3薄膜气敏传感器的结构,制备出了室温下具有较高灵敏度的气敏传感器,实现了预期研究目标,为进一步实现硅基集成的低功耗高性能微纳气敏传感器奠定了实验与理论基础。

结论摘要:

英文主题词WO3; Thin films; Porous silicon; Gas sensors; Low power dissipation


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 26
  • 1
  • 5
  • 0
  • 0
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