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安全静态随机访问存储器(SRAM)的研究与设计
  • 项目名称:安全静态随机访问存储器(SRAM)的研究与设计
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60776027
  • 申请代码:F040201
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人:邹雪城
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:华中科技大学
  • 批准年度:2007
中文摘要:

在研究通用的静态随机访问存储器(SRAM)的基础上,研究低成本高安全性SRAM的结构以提高SRAM的抗攻击性能,同时,仍然保留SRAM低功耗高带宽的优点。本课题的目标是针对高安全性SRAM的可信设计和抗攻击机制研究,重点是从电路设计上彻底解决通用SRAM 在掉电情况下的信息残留问题,达到从物理层面上防止SRAM存储的机密信息被攻击的目的。为此,本课题基于0.25um标准 CMOS混合信号工艺技术,提出了两种可以彻底解决SRAM信息残留问题的设计方法- - 消除6-管SRAM锁存单元中的数据电荷的方法和清零或改写SRAM存储信息的方法。这两种设计方案具有电路拓扑结构简单、易于与SRAM集成的优点。本课题的研究成果可以为安全SRAM的设计和实现提供理论基础,将对金融、国防和军事等领域的信息安全产生积极而重要的影响。

结论摘要:

英文主题词SRAM;Information Security; Mixed Signal


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 14
  • 8
  • 1
  • 0
  • 0
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