沸石多孔材料中半导体纳米团簇生长过程的研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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沸石多孔材料中半导体纳米团簇生长过程的研究

项目名称：沸石多孔材料中半导体纳米团簇生长过程的研究
项目类别：面上项目
批准号：59772035
申请代码：E0209
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：1998-01-01-2000-12-01

项目负责人：方克明
负责人职称：教授
依托单位：北京科技大学
批准年度：1997

中文摘要：

用离子交换的方法在沸石中组装了cdse、AgBr、ZnS半导体纳米团簇。从组装了纳米团簇的微米级沸石颗粒中切取了可供透射电镜和高分辨电镜研究的薄膜，用透射电镜可以观察、研究团簇的组装过程，探讨组装过程与离子浓度、温度和组装时间的关系。在完成了组装过程的沸石中，纳米团簇的分布是均匀的，团簇大小为几纳米至几十纳米，拉曼光谱测试结果表明，团簇材料与体材料相比，光吸收边明显兰移，掺Mn的Zns团簇材料具有更强的发光效率。人造SiO2颗粒中也存在着许多纳米尺度的微孔，这些微孔分布均匀，已成功地在微孔中组装了cds半导体纳米团簇，SiO2有可能成为组装半导体团簇的理想材料之一。

中文主题词：沸石;纳米团簇;透射电镜

成果综合统计