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碳化硅缓冲层上生长氮花稼的电子显微学研究
  • 项目名称：碳化硅缓冲层上生长氮花稼的电子显微学研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50072044
  • 申请代码：E020401
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2001-01-01-2003-12-01
  • 项目负责人：段晓峰
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2000
中文摘要：

CaN有重要的应用前景，以SiC作为缓冲层是Si上生长GaN的新方法.要得到高质量的GaN，需許i/SiC/GaN界面及缺陷结构进行系统的分析研究。场发射电子枪透射电镜具有亮度高，咝〉挠诺悖啥匝分械慕缑妗⑷毕莸任⑿∏蚪械缱幽芰克鹗住⒏叻直娴缱酉晕⑹酢⒒峋凼缱友苌浞治觯剿魅毕莶跋嗷プ饔玫幕恚欢嫌呕ぬ跫

中文主题词： GaN,半导体，透射电子显微术
结论摘要：

英文主题词GaN,semiconductors, transmission electron microscopy

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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  • 著作
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著作
Crystalline boron nanowires
Crystalline boron nanowires
TEM studies of an incommensurate charge ordering modulation inLa0.5Ca0.5MnO3
Application of energy-.ltering transmission electronmicroscopy to characterize amorphous boron nanowires
EELS studies of the polarity of GaN
Polarity determination for GaN thin films by electronenergy-loss spectroscopy
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