位置：成果数据库 > 著作 > 著作详情页
EELS studies of the polarity of GaN
  • 所属机构名称：中国科学院物理研究所
  • 成果类型：著作
  • 出版社：Journal of Chinese Electron Microscopy Society (in Chinese), 21(5), 594(2002)
  • 语言：英文
  • 相关项目：碳化硅缓冲层上生长氮花稼的电子显微学研究
作者： X. Kong|G.Q. Hu|X.F. Duan|
同著作项目
碳化硅缓冲层上生长氮花稼的电子显微学研究
著作 7
同项目著作
Crystalline boron nanowires
Crystalline boron nanowires
TEM studies of an incommensurate charge ordering modulation inLa0.5Ca0.5MnO3
Application of energy-.ltering transmission electronmicroscopy to characterize amorphous boron nanowires
Polarity determination for GaN thin films by electronenergy-loss spectroscopy
Amorphous feather-like boron nanowires