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中文摘要：
无铅铁电薄膜是一种重要的信息功能材料，在微电子工业、国防工业等领域有较广阔的应用前景。特别是由于其较好的抗辐射性能，在航天电子器件上有较大的潜在应用价值。本项目拟研究无铅铁电薄膜在Van Allen 带辐射作用下的损伤演化过程，亦即研究质子、电子注入与材料的宏观物理性能、微观结构之间的交互作用。研究方法上结合空间环境地面模拟实验与计算机模拟，一方面发展新的实验技术原位观测材料在质子、电子辐射下的损伤演化过程；另一方面运用优化的计算机模拟方法，对材料的损伤演化过程进行大规模分子动力学、蒙特卡罗模拟。并依据实验研究与计算机模拟的结果，探讨无铅铁电薄膜在辐射作用下的失效机制，提出增强其抗质子、电子辐射能力的加固技术，为正确评价无铅铁电薄膜作为航天电子材料的安全性、可靠性与在轨寿命等提供实验和理论依据。
结论摘要：
英文主题词lead-free ferroelectric thin films; Van Allen Belts; Radiation; Damage evolution; Failure mechanism;
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