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中文摘要：
太阳光盲紫外光探测器在国防和民用方面都有广泛用途。AlGaN基PIN太阳光盲雪崩探测器又有其独特优势，本研究的目标是探讨AlGaN基雪崩倍增 太阳光盲探测器中的有关物理问题。包括1雪崩倍增AlGaN UV探测器结构设计，以获得高的量子效率和高的增益，抑制暗电流，提高探测率及倍增因子为前提，通过对探测器结构与参数的数值分析，优化探测器的结构。2生长高质量高Al组分AlGaN， 探索其生长机理；研究超晶格等插入层的缺陷阻挡作用的物理机制。3利用AlGaN材料及探测器结构研究材料和器件的物理问题。如极化场对材料的碰撞离化率的影响，Mg掺杂高Al组分AlGaN中Mg的激活，高铝组分AlGaN的物理和化学性质，如高Al组分p-AlGaN中Mg激活能，AlGaN材料中的合金无序等。4 采用能带工程（band engineering）和 碰撞离化工程（impact-ionization）优化探测器性能
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