中文摘要：

AlGaN基日盲紫外探测器在国防，通讯，医疗和生物等领域有着巨大的应用前景。但通常的AlGaN基日盲探测器结构存在可测信号弱，噪声大的缺点，很难实现对弱信号的探测。本课题拟采用AlGaN基探测器与声表面波（SAW）器件集成的结构，将AlGaN基探测器对深紫外光的光电响应信号转变为声学信号，利用SAW器件对声电相互作用的高灵敏响应机制来实现对微弱紫外光信号的探测目的。探索AlGaN基SAW型日盲紫外探测器中光、电、声相互耦合作用的物理机制，获得AlGaN基SAW型日盲探测器结构的最佳设计。采用高温金属有机物气相沉积法在AlN/sapphire模板上外延AlGaN基SAW型探测器结构，探索高温外延AlGaN的生长动力学和缺陷控制方法， 研究AlGaN材料的声表波特性以及材料缺陷、探测器与SAW间的界面、探测器结构等对器件性能影响，最终实现高灵敏度AlGaN基日盲探测器的研制。

结论摘要：

AlGaN基日盲紫外探测器在国防，通讯，医疗和生物等领域有着巨大的应用前景。但通常的AlGaN基日盲探测器结构存在可测信号弱，噪声大的缺点，很难实现对弱信号的探测。为了获得高灵敏度的AlGaN基日盲紫外探测器，本项目围绕AlGaN基探测器与声表面波（SAW）器件集成的结构，开展了AlGaN材料及其器件的相关研究，取得了一系列成果。采用“两步法”高温MOCVD生长了高质量AlN模板，其（002）面和（102）面的半峰宽分别为60arcsec和550arcsec，到达了国际上同类水平；详细研究了生长参数（如生长初始条件、缓冲层生长条件、V/III比等）对AlN模板材料质量的影响，并建立了其生长机理模型。在AlN模板上外延生长了高质量的AlGaN外延薄膜，并研究了其相关的声表面波参数。研究了缺陷对探测器性能的影响机制，并提出介电纳米颗粒钝化缺陷提高器件性能的新思路。提出采用表面等离激元增强紫外探测器的思想，并在GaN基紫外探测器上验证了其可行性。获得高灵敏度的AlGaN基声表面波型日盲紫外探测器。 项目实施期间，在Advanced Materials, Applied Physics Letters, CrystEngComm、半导体学报等国内外学术期刊上共发表SCI、EI检索论文16篇，其中影响因子大于3.0的6篇，最高影响因子14.8。申请国家发明专利3项，获得授权1项。培养研究生6名，其中已毕业博士研究生2名，在读博士研究生1名,在读硕士研究生3名。项目负责人黎大兵获得2013年国家自然科学基金委“优秀青年基金”资助，获2013年吉林省自然科学学术成果奖一等奖1项（排名第一），获2011年吉林省留学回国人员优秀项目奖励资助。参加国际学术会议2次，国内学术会议1次，并做邀请报告；举办了第二届国际微纳工程会议 (ICOME2013)。