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用正电子湮没技术探究氦氢气泡在钨及纳米晶钨膜中的演化机理
  • 项目名称：用正电子湮没技术探究氦氢气泡在钨及纳米晶钨膜中的演化机理
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11275132
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：邓爱红
  • 依托单位：四川大学
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 7
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期刊论文
纳米晶钨膜的沉积工艺研究及微结构表征
界面对ZrN/TaN纳米多层膜固氦性能的影响
He离子辐照金属钨引入缺陷的微结构研究
纳米多晶钨膜中He相关缺陷对H滞留的影响
高温退火后含He纳米晶钛膜中He相关缺陷的演化
GaAs基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜的缺陷结构对比分析
多能氦离子注入对W金属微结构的影响
邓爱红的项目
用正电子湮没技术研究氦在钛及纳米晶钛膜中形成缺陷的机制
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期刊论文 1