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中文摘要：
申请人致力在半导体光电子器件和纳米结构表征研究1、理论上研究了沈光地教授提出的多有源区激光和发光新结构发光机制，揭示了新结构激光和发光器件的量子效率、光功率等随有源区数目近似线性增加，并实验上研制出量子效率大于1的AlGaInP 发光二极管和InGaAs 垂直腔面发射激光器，实验上证明了新结构比传统结构功率效率提高一倍；2、基于GaAs/GaN直接键合的研究，提出橙黄光与蓝绿光配色新方法，发展并制备出无荧光粉单芯片白光发光二极管新结构；3、发现了氧化钇纳米晶中呈现1535nm明亮的特征谱线，提出铒离子占据C2和C3i位置的发光机理在APL等刊物发表SCI收录论文37篇，其中第一作者/通讯作者23篇，他引共计108次，单篇最高他引32次，授权专利6项，主持国家和省部级科研任务15项，大会邀请报告一次获得全国优秀博士学位论文、新世纪优秀人才、霍英东青年教师奖、北京市科学进步一等奖
结论摘要：
英文主题词grating coupler；current spreading layer；nano material；light-emitting diode；Si photodiode
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