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　自主创新单芯片白光发光二极管及其关键技术研究
  • 项目名称：　自主创新单芯片白光发光二极管及其关键技术研究
  • 批准号：2006AA03A121
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：郭霞
  • 依托单位：北京工业大学
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 27
  • 0
  • 0
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期刊论文
表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响
GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响
基于Au/Au直接键合的高亮度ODRLED
用PL谱评测多量子阱红外探测器外延材料
全反射镜结构对AIGaInP发光二极管发光效率的影响
快速热退火对电子束蒸镀的ITO膜光电特性影响
新型表面再构的倒装AlGaInP LED
AlGaInP系LED的表面纳米级粗化以及光提取效率提高
蒸发速率对ITO光学常数的影响
不同表面结构的半导体发光二极管的效率与寿命的研究
AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系
带介质分布式Bragg反射镜结构高性能共振腔发光二极管的研究
大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究
Internal quantum efficiency drop induced by the heat generation inside of light emitting diodes （LEDs）
多量子阱红外探测器垂直光耦合研究
条形列阵激光器侧向隔离研究
AlGaInP LEDs with surface anti-reflecting structure
电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响
表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究
高光束质量大功率半导体激光阵列的热特性
载流子输运和寄生参数对隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器调制特性的影响
传输矩阵法在多量子阱红外探测器结构设计中的应用
内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究
GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究
宽调谐范围垂直腔面发射激光器特性分析及设计
注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响
郭霞的项目
单芯片白光发光二极管机理及其关键技术的研究
期刊论文 65 会议论文 1
半导体光电子器件研究
期刊论文 30 会议论文 2
高增益自熄灭单光子探测器的基础性研究
期刊论文 4
用于产生太赫兹波的双模半导体激光器技术研究
期刊论文 7
2014年中韩低维电子与光子材料与器件论坛