中文摘要：

本项目运用可进行三维复杂微/纳米加工的约束刻蚀剂层技术（CELT技术）和基于琼脂糖湿法印章刻蚀技术，对半导体ZnO纳米线阵列结构进行了三维复杂图形的加工。解决了以上两种刻蚀方法在对纳米材料刻蚀加工过程中的基本问题。CELT技术中筛选了合适的刻蚀剂和捕捉剂，搭建了扫描电化学微镜和倒置显微镜的联用系统以研究约束刻蚀剂层厚度以及空间分布等化学问题。基于琼脂糖的湿法湿法印章刻蚀技术，以存储有HCl的琼脂糖微图案印章对纳米线阵列进行了化学刻蚀，可以批量加工不同的图案。该方法是一种无掩模的高分辨刻蚀方法,且制作工艺简单,在ZnO纳米线阵列上已实现高分辨率的化学刻蚀加工。本项目已发展了两种可对纳米线阵列结构分别进行三维加工和批量加工的普适性方法。本项目的研究进一步推动了微/纳米加工技术的相关理论研究，而且将相关微加工技术推广到传统机械、光刻等加工方法难以工作的纳米材料表面。