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位置灵敏的像素碲锌镉半导体探测器的研制
  • 项目名称:位置灵敏的像素碲锌镉半导体探测器的研制
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:10575064
  • 申请代码:A050506
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2006-01-01-2007-12-31
  • 项目负责人:李元景
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:清华大学
  • 批准年度:2005
中文摘要:

室温下可操作的具有高的探测效率,高的能量分辩率,便于携带的重量轻,体积小的化合物半导体探测器碲锌镉(CdZnTe)的研究始于二三十年前,并在上个世纪末达到高峰。它不仅可用于国防和环境安全等传统的核辐射探测领域,而且在商业,医学成像及空间物理等方面有着更广泛的应用,长远的发展前景和巨大的经济潜力。在中国,这个领域的研究工作刚刚起步。我们的研究是针对像素(pixel)结构的CdZnTe,利用小像素效应

结论摘要:

温下可操作的具有高的探测效率,高的能量分辨率,便于携带的重量轻,体积小的化合物半导体探测器碲锌镉(CdZnTe)的研究始于二三十年前,并在上个世纪末达到高峰。它不仅可用于国防和环境安全等传统的核辐射探测领域,而且在商业,医学成像及空间物理等方面有着更广泛的应用,长远发展前景和巨大经济潜力。在中国,这个领域的研究工作刚刚起步。我们的研究是针对像素(pixel)结构的CdZnTe,利用小像素效应,实现阳极信号的单极性敏感,来较正空穴收积不完全对γ谱峰展宽的影响,使CdZnTe晶体的γ谱能量分辨率大幅度提高。该结构既可作为简单的γ谱仪使用,同时还可用作成像装置。我们将从CdZnTe 像素电极的制做,性能的测试及理论模拟研究,与后续的电子学系统的连接,以及高集成度,低噪低能耗的数字信号处理系统的设计等多方面进行研究和实验,研制出具有高性能的位置灵敏的像素碲锌镉CdZnTe半导体探测器。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
  • 3
  • 0
  • 0
  • 0
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