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　基于微尺度效应和技术的异质结构半导体材料及器件
  • 项目名称：　基于微尺度效应和技术的异质结构半导体材料及器件
  • 批准号：2006DFB11110
  • 项目来源：2006年度国际科技合作计划（专项经费）项目
  • 研究期限：2007-01-
  • 项目负责人：任晓敏
  • 依托单位：北京邮电大学;俄罗斯科学院圣彼得堡约飞物理技术研究所
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 14
  • 0
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期刊论文
晶体外延生长模式的完备理论描述与“后S-K异质兼容生长模式”的预言
全宇观万有作用力假说
狭义相对论的前提与全速域狭义相对论理论模型的构建原则
物质波动性与粒子性的科学表征及光子与姗子的相互转化
InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备
基于微环谐振腔的耦合谐振光波导反射镜
用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT
1.3μm InGaNAs/GaAs多量子阱“一镜斜置三镜腔”光探测器
耦合微环谐振腔光波导有限尺寸效应的优化
InGaAs/Si雪崩光电二极管
基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术
InP／GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备
闪锌矿B_xAl_（1-x）As合金的LP-MOCVD生长研究
A novel resonant cavity enhanced photodetector with flattop and steep-edge response
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