中文摘要：

为避免电磁干扰，弥补SiC在光电子领域应用的不足，基于SiCGe/SiC异质结和超结原理，提出了易于制备的新型SiC/SiCGe光控功率晶体管。本项目拟采用热壁CVD法在半绝缘SiC衬底上同质外延P型SiC层以及在p-SiC外延层上异质外延n型SiCGe材料。利用禁带宽度随组分可调的三元合金n型SiCGe与p柱SiC间形成横向异质结n-SiCGe/p-SiC，纵向采用n-SiCGe/p-SiC类"超结"结构，制备出新型SiC/SiCGe光控功率晶体管。着重研究器件结构的优化设计、碳化硅衬底上同质外延p-SiC高效掺杂问题以及n-SiCGe禁带宽度、吸收系数等光学性质随组分和工艺参数变化关系。SiC刻蚀与牺牲氧化工艺、外延层之间晶格匹配问题，也是本项目走向实用化必须研究的重要内容。研究内容还包括欧姆电极的制备以及材料参数和器件结构参数对光控器件的功率处置能力、光谱响应影响等问题