中文摘要：

相变存储器具有循环寿命长、元件尺寸小、功耗低和高速读取等诸多优点，被认为是最具潜力的下一代半导体存储器件，具有巨大的商用价值及应用前景。作为相变存储器的存储介质，相变存储材料性能的研究一直是发展相变存储器技术的主要内容。本项目主要采用同步辐射X射线吸收精细结构方法结合其它结构测试手段（同步辐射X射线衍射、X射线光电子能谱技术、拉曼技术）研究Al-Sb-Te体系相变薄膜材料。探测体系在非晶态及晶态相的元素离子价态、占位及局域结构，通过拟合分析，得到可靠的原子结构信息，解析材料相变机理。在此基础上构建模型，开展第一性原理计算进行结构优化，深入理解材料相变机理，为Al-Sb-Te体系结构及性能研究提供实验依据和理论支持。