位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
A prognostic Circuit for Time-dependent Dielectric Breakdown Failure of MOSFET
  • 所属机构名称：工业和信息化部电子第五研究所
  • 会议名称：2014 International Conference on Reliability, Maintenance, and Safety (ICRMS)
  • 时间：2014.8.5
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：基于GaN纳米线铁电场效应晶体管及相关电性能
同会议论文项目
基于GaN纳米线铁电场效应晶体管及相关电性能
期刊论文 14 会议论文 4
同项目会议论文
Design of Prognostic Circuit for Electromigration Failure of Integrated Circuit
Design of Prognostic Circuit for Electromigration Failure of Integrated Circuit
Design of Prognostic Circuit for Hot Carrier Injection Failure of Integrated Circuit