欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
Design of Prognostic Circuit for Electromigration Failure of Integrated Circuit
所属机构名称:工业和信息化部电子第五研究所
会议名称:The 20st International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuit
时间:2013.7.19
成果类型:会议
相关项目:基于GaN纳米线铁电场效应晶体管及相关电性能
同会议论文项目
基于GaN纳米线铁电场效应晶体管及相关电性能
期刊论文 14
会议论文 4
同项目会议论文
Design of Prognostic Circuit for Electromigration Failure of Integrated Circuit
A prognostic Circuit for Time-dependent Dielectric Breakdown Failure of MOSFET
Design of Prognostic Circuit for Hot Carrier Injection Failure of Integrated Circuit