位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Design of Prognostic Circuit for Hot Carrier Injection Failure of Integrated Circuit
  • 所属机构名称：工业和信息化部电子第五研究所
  • 会议名称：2013 International Conference on Quality, Reliability, Risk, Maintenance, and Safety Engineering
  • 时间：2013.7.15
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：基于GaN纳米线铁电场效应晶体管及相关电性能
同会议论文项目
基于GaN纳米线铁电场效应晶体管及相关电性能
期刊论文 14 会议论文 4
同项目会议论文
Design of Prognostic Circuit for Electromigration Failure of Integrated Circuit
Design of Prognostic Circuit for Electromigration Failure of Integrated Circuit
A prognostic Circuit for Time-dependent Dielectric Breakdown Failure of MOSFET