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中文摘要：
随着器件向小型化、高集成、高密度存储和超快传输方向发展,以半导体纳米线为导电沟道的纳电子器件成为信息高新技术研究前沿和热点之一。本项目以具有宽带隙、高电子迁移率、高热导率和抗辐射等优点的GaN半导体纳米线为导电沟道，设计铁电/基片复合层式背栅，自组装GaN纳米线铁电场效应晶体管，并探索其电学性能及相关可靠性。重点研究三个关键科学问题纳电子器件微纳加工及表征测试技术；基于纳米线铁电场效应晶体管温度相关的电学特性与内在机制；基于纳米线铁电场效应晶体管辐照相关的电学特性与物理机制。一方面发展表征基于纳米线铁电场效应晶体管相关电学特性的测试技术；另一方面建立材料学、半导体物理学和器件可靠性工程相互交叉的理论分析方法，揭示纳电子器件失效的物理机制。本项目符合《国家中长期科学和技术发展规划(2006-2020)》的基础研究和重大科学研究计划，研究结果将为纳电子器件及可靠性研究提供理论和实验基础。
结论摘要：
英文主题词Ferroelectric random access memory；Ferroelectric field effect transistor；GaN nanowire；PZT ferroelectric film；Self-assemble
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