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引入离子缺陷对SIMOX材料中埋层
  • 所属机构名称：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 会议名称：口头报告，第六届全国SOI技术研讨会，（西安，2005年5月）
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：低剂量注氧隔离技术氧化埋层形成机理研究
作者： 陈静*，孙佳胤，张恩霞，金波，
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低剂量注氧隔离技术氧化埋层形成机理研究
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