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A theoretical study on domain boundaries in epitaxial Wurtzite GaN film
  • 所属机构名称：中国科学院金属研究所
  • 会议名称：Proceedings of 2000 MRS Spring Meeting,p199, San Francisco, USA
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者单位：中国科学院金属研究所
  • 语言：英文
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
作者： S. Q. Wang|H. Q. Ye|
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