位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
采用平面波赝势方法计算设计III-V族和IV族半导体材料
  • 所属机构名称：中国科学院金属研究所
  • 会议名称：2002年中国材料研讨会论文集
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者单位：中国科学院金属研究所
  • 语言：中文
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
作者： 王绍青|叶恒强|
同会议论文项目
氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
期刊论文 12 会议论文 6
同项目会议论文
Plane-wave pseudopotential study on mechanical and electronic properties for group III-V semiconduct
A theoretical study on domain boundaries in epitaxial Wurtzite GaN film
纤锌矿GaN的畴界结构理论研究
平面波赝势方法研究III-V组半导体的力学和电子性质
采用平面波赝势方法计算设计III-V族和IV族半导体材料