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采用平面波赝势方法计算设计III-V族和IV族半导体材料
  • 所属机构名称：中国科学院金属研究所
  • 会议名称：2002中国材料研讨会
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者单位：中国科学院金属研究所
  • 语言：中文
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
作者： 王绍青|叶恒强|
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