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图形衬底LED的MOCVD外延生长
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：LED芯片制造及应用国际研讨会
  • 时间：2012.9.9
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：10微米以上GaN基厚膜垂直结构LED器件的制备及相关关键物理问题的研究
作者： 张国义|贾传宇|孙永健|
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10微米以上GaN基厚膜垂直结构LED器件的制备及相关关键物理问题的研究
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