位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Fabrication of High Power Vertical Structure LED
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：第八届China SSL 2011 国际半导体照明论坛
  • 时间：2011.11.11
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：10微米以上GaN基厚膜垂直结构LED器件的制备及相关关键物理问题的研究
作者： 张国义|陈志忠|孙永健|康香宁|于彤军|杨志坚|
同会议论文项目
10微米以上GaN基厚膜垂直结构LED器件的制备及相关关键物理问题的研究
期刊论文 9 会议论文 9 专利 3
同项目会议论文
Research and development of substrate materials of high power GaN based LED devices
激光剥离高功率LED器件的制备及相关衬底材料的研究
High power vertical structure LED fabricated by GaN-based homo-epitaxyand Micro-area LLO
Electrical Properties of GaN-based thin film LEDs fabricated by Laser Lift-off
高功率GaN基LED器件衬底材料的研究及发展
图形衬底LED的MOCVD外延生长
High power vertical structure LED fabricated by GaN-based homo-epitaxy and Micro-area LLO
图形衬底LED的外延生长