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High power vertical structure LED fabricated by GaN-based homo-epitaxy and Micro-area LLO
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：9th International Conference of Nitride Semiconductors
  • 时间：2011.7.7
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：10微米以上GaN基厚膜垂直结构LED器件的制备及相关关键物理问题的研究
作者： 孙永健|于彤军|陈志忠|
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