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高功率GaN基LED器件衬底材料的研究及发展
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：第十三届全国LED产业发展与技术研讨会
  • 时间：2012.11.11
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：10微米以上GaN基厚膜垂直结构LED器件的制备及相关关键物理问题的研究
作者： 孙永健|张国义|吴洁君|
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