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GaN 自支撑衬底生长及推广型立式 HVPE 生长系统
所属机构名称:南京大学
会议名称:第十五届化合物半导体材料、微波器件及光电器件学术会议
成果类型:会议
相关项目:获得高质量低位错密度GaN衬底的生长新思路及相关关键问题研究
作者:
修向前|
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