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获得高质量低位错密度GaN衬底的生长新思路及相关关键问题研究
  • 项目名称：获得高质量低位错密度GaN衬底的生长新思路及相关关键问题研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60776001
  • 申请代码：F040101
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2008-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：修向前
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2007
中文摘要：

主要研究GaN衬底材料的位错密度分析及减少位错密度的方法，研究高温HVPE 系统中"HCl原位腐蚀"法，研究蓝宝石上GaN 外延层（MOCVD GaN/蓝宝石、HVPE GaN/蓝宝石）及自支撑GaN 衬底中GaN 的位错类型、分布及不同介质腐蚀规律，包括不同条件（腐蚀温度、腐蚀时间、HCl 气体流量等）的影响。项目执行期间，共发表SCI、EI学术论文25篇（标注资助论文12篇），获得授权国家发明专利6项，新申请发明专利15项(其中第一申请人申请专利5项)。积极推进和国内外同行的合作和交流，多次组织和参加国际和国内学术会议，并在国际会议上发表论文或者报告8篇（标注资助）。在人才培养方面，毕业博士研究生1名、硕士研究生1名；在读博士生2名，硕士1名。

中文主题词： GaN；氢化物气相外延；位错；腐蚀
结论摘要：

英文主题词GaN；HVPE;dislocation;etching

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 35
  • 8
  • 8
  • 0
  • 0
期刊论文
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Impact of lattice strain on the phase formation, polarization, and dielectric constant of PbZr1-xTix
Microstructure and dislocation of epitaxial InN films revealed by high resolution x-ray diffraction
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m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
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氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
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会议论文
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The Synthesis of [100] Wurtzite InN Nanowires and [011] Zincblende InN nanorods
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氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
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专利
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